英特尔介绍Intel4工艺：2倍密度，性能提升超20%

据AnandTech报道，英特尔现在已经分享了一些关于其下一代英特尔4技术的消息。

据报道，这一工艺将用于2023年发布的产品中，是英特尔首次采用EUV的工艺。

英特尔将首先用于即将推出的流星湖处理器，该处理器将属于英特尔第14代酷睿家族除了工艺技术上的重大进步，流星湖还将成为英特尔首款基于tile/chiplet的客户端CPU，采用I/O核，CPU核，GPU核等tile模块

根据英特尔公布的数据，Intel 4的鳍间距降至30 nm，是Intel 7的34 nm间距的0.88倍同样，接触栅之间的间距现在是50nm，低于以前的60nm英特尔声称，Intel4的密度是Intel7的两倍，或者更具体地说，晶体管的尺寸缩小了一半

此外，新工艺对金属层做了重大改变英特尔在其英特尔7工艺的底部用钴取代了铜，该公司认为鉴于晶体管的寿命，这是必要的不过从性能上来看，钴也不怎么样长期以来，人们一直怀疑钴是英特尔Intel 7的主要绊脚石之一

对于Intel 4，Intel还是在用钴，只是现在他们用的不是纯钴，而是所谓的强化铜，也就是铜包钴。

性能方面，据报道在0.65v V的等功率下，Intel 4的频率比Intel7提高了21.5%，在0.85v及以上，等功率增益接近10%。

根据英特尔的说法，英特尔4在电源效率方面更有利可图在相同频率下，Intel 4的功耗降低了40%频率越高，收入越低