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英特尔介绍Intel4工艺:2倍密度,性能提升超20%

时间:2022-12-25 13:47   来源: IT之家   阅读量:6154    04

据AnandTech报道,英特尔现在已经分享了一些关于其下一代英特尔4技术的消息。

据报道,这一工艺将用于2023年发布的产品中,是英特尔首次采用EUV的工艺。

英特尔将首先用于即将推出的流星湖处理器,该处理器将属于英特尔第14代酷睿家族除了工艺技术上的重大进步,流星湖还将成为英特尔首款基于tile/chiplet的客户端CPU,采用I/O核,CPU核,GPU核等tile模块

根据英特尔公布的数据,Intel 4的鳍间距降至30 nm,是Intel 7的34 nm间距的0.88倍同样,接触栅之间的间距现在是50nm,低于以前的60nm英特尔声称,Intel4的密度是Intel7的两倍,或者更具体地说,晶体管的尺寸缩小了一半

此外,新工艺对金属层做了重大改变英特尔在其英特尔7工艺的底部用钴取代了铜,该公司认为鉴于晶体管的寿命,这是必要的不过从性能上来看,钴也不怎么样长期以来,人们一直怀疑钴是英特尔Intel 7的主要绊脚石之一

对于Intel 4,Intel还是在用钴,只是现在他们用的不是纯钴,而是所谓的强化铜,也就是铜包钴。

性能方面,据报道在0.65v V的等功率下,Intel 4的频率比Intel7提高了21.5%,在0.85v及以上,等功率增益接近10%。

根据英特尔的说法,英特尔4在电源效率方面更有利可图在相同频率下,Intel 4的功耗降低了40%频率越高,收入越低

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