安世半导体Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12V和30VMO

，Nexperia宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号沟槽MOSFET该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS特性，在空间有限，续航至关重要的情况下，可以让电量持续更长时间

新型MOSFET非常适用于智能手机，智能手表，助听器，耳机等高度小型化的电子产品，迎合了功能更智能，更丰富的趋势，满足了系统功耗不断增加的需求。

与竞争对手RDS器件相比，性能提升25%，可以最大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理的效率其优异的性能还体现在自发热的减少，从而提升可穿戴设备的用户舒适度

特别是，当VGS =4.5V时，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS分别为50mΩ和55mΩ因此，在市场同类30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE的单芯片面积导通电阻最低此外，PMCB60XNE可以在1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小尺寸中提供额定2kV ESD保护..两个MOSFET的额定漏极电流可以达到4A

除了这两款采用DSN1006封装的MOSFET，Nexperia还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道沟槽MOSFET PMCA14UNPMCA14UN在VGS = 4.5 V时的最大RDS为16mΩ，在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm的尺寸下可以达到市场领先的效率